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METIS PLANARE PLATTFORM

Diese Plattform, Metis, ist eine planare Hybrid-Plattform, mit mechanischen und Luftlagern, die für Step-and-Scan-Anwendungen konzipiert ist. Es handelt sich um eine 6-Achsen-Plattform, die sich in X-, Y-, Z- und Theta-Richtung bewegt. Dynamische Ebenheit über die gesamte Bahn sowie bidirektionale Wiederholgenauigkeit sind die wichtigsten Parameter. Diese Plattform wird derzeit eingesetzt in: - Anwendungen in der Wafer-Prozesskontrolle wie Critical Dimension und Dünnschichtmesstechnik. - Strukturieren von Wafern - Lasergestütze Wärmebehandlung von Wafern Sie kann auch in Back-End of Line Lithographie-Maschinen (Mask Aligner) und für einige Wafer-Vereinzelungsanwendungen verwendet werden. Diese Plattform verfügt über: - Eine Ebenheit der Bewegung durch das Luftlager - Unbegrenzte Drehung in Theta - Doppelte Z-Integration: Grobe Bewegungen zum Be-/Entladen und feine Bewegungen zur Feinfokussierung - Eingebauter Gewichtsausgleich in Z (Patent angemeldet) - Die Gierkorrektur kann durch leichtes Verschieben der Y1- und Y2-Motoren durchgeführt werden - Weitere Integration mit einem vollständig von ETEL gesteuerten Active-Isolation-System möglich - Hübe in X und Y können mit einigen Beschränkungen hinsichtlich der Leistung auch verlängert werden Hauptspezifikationen - Gesamter Hub: 321 mm für XY x 12 mm für Z - Geschwindigkeit: 1,2 m/s für XY, 0,1 m/s für Z und 15,7 rad/s für T - Beschleunigung: 1,2 g für XY, 0,2 g für Z und 104,7 rad/s 2 für T - Positionsstabilität: ±25 nm für XY, ±15 nm für Z und ±0.2 arcsec für T - Bidirektionale Wiederholgenauigkeit: ±0,4 µm für XY, ±0.3 µm für Z und ±2 arcsec für T Weitere Informationen sind im entsprechenden Integrationshandbuch enthalten.
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Diese Plattform, Metis, ist eine planare Hybrid-Plattform, mit mechanischen und Luftlagern, die für Step-and-Scan-Anwendungen konzipiert ist. Es handelt sich um eine 6-Achsen-Plattform, die sich in X-, Y-, Z- und Theta-Richtung bewegt. Dynamische Ebenheit über die gesamte Bahn sowie bidirektionale Wiederholgenauigkeit sind die wichtigsten Parameter. Diese Plattform wird derzeit eingesetzt in: - Anwendungen in der Wafer-Prozesskontrolle wie Critical Dimension und Dünnschichtmesstechnik. - Strukturieren von Wafern - Lasergestütze Wärmebehandlung von Wafern Sie kann auch in Back-End of Line Lithographie-Maschinen (Mask Aligner) und für einige Wafer-Vereinzelungsanwendungen verwendet werden. Diese Plattform verfügt über: - Eine Ebenheit der Bewegung durch das Luftlager - Unbegrenzte Drehung in Theta - Doppelte Z-Integration: Grobe Bewegungen zum Be-/Entladen und feine Bewegungen zur Feinfokussierung - Eingebauter Gewichtsausgleich in Z (Patent angemeldet) - Die Gierkorrektur kann durch leichtes Verschieben der Y1- und Y2-Motoren durchgeführt werden - Weitere Integration mit einem vollständig von ETEL gesteuerten Active-Isolation-System möglich - Hübe in X und Y können mit einigen Beschränkungen hinsichtlich der Leistung auch verlängert werden Hauptspezifikationen - Gesamter Hub: 321 mm für XY x 12 mm für Z - Geschwindigkeit: 1,2 m/s für XY, 0,1 m/s für Z und 15,7 rad/s für T - Beschleunigung: 1,2 g für XY, 0,2 g für Z und 104,7 rad/s 2 für T - Positionsstabilität: ±25 nm für XY, ±15 nm für Z und ±0.2 arcsec für T - Bidirektionale Wiederholgenauigkeit: ±0,4 µm für XY, ±0.3 µm für Z und ±2 arcsec für T Weitere Informationen sind im entsprechenden Integrationshandbuch enthalten.
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